Компания Samsung Electronics анонсировала разработку самой быстрой в мире памяти DDR3 SRAM. 72-мегабайтные чипы обладают пропускной способностью в 1,5 Гбит в секунду и предназначаются для серверов и рабочих станций следующего поколения.
Новейшей разработкой компании в этой области были чипы памяти DDR II с временем доступа 0,45-0,50 наносекунд и напряжением питания в 1,8 В.
Сделанная по 90-нанометровому технологическому процессу память DDR3 потребляет всего лишь 1,2 В питания.
Ячейки размером менее одной миллионной квадратного метра были получены с помощью фтор-криптонового лазера.
Подробности технологии будут освещены на Международной конференции по твердотельным полупроводникам, которая пройдет с 9 по 13 февраля в Сан-Франциско, в штате Калифорния.
Кроме этого, на выставке специалисты Samsung Electronics представят двухгигабайтный модуль NAND Flash, сверхскоростной модуль памяти DDR II на 512 Мб и расскажут о применении 90-нанометрового технологического процесса и о разработке памяти SDRAM с низким энергопотреблением, передает "КомпьюЛента".
Серийное производство 72-мегабайтных модулей DDR3 начнется во второй половине 2003 года. На сегодняшний день существует только опытный образец объемом 32 Мб.
Корреспондент.net
News
Yellow Pages
